光電変換素子の製造方法

Procédé de fabrication d'un élément de conversion photoélectrique

Method for producing photoelectric conversion element

Abstract

光電変換素子10の製造方法は、n型単結晶シリコン基板18の裏面上に非晶質系半導体層部を形成し、非晶質系半導体層部上に絶縁層24aを形成し、絶縁層24a上にフォトレジスト20aを形成し、絶縁層24a上にフォトレジスト20aが形成されている状態でn型単結晶シリコン基板18の裏面の反対側の受光面をエッチング加工する。
La présente invention concerne un procédé de fabrication d'un élément de conversion photoélectrique (10). Selon ce procédé, une partie de couche semi-conductrice amorphe est formée sur la surface arrière d'un substrat de silicium monocristallin de type n (18), une couche isolante (24a) est formée sur la partie de couche semi-conductrice amorphe, une résine photosensible (20a) est déposée sur la couche isolante (24a), et la surface recevant la lumière sur le côté du substrat de silicium monocristallin de type n (18) à l'opposé de la surface arrière est gravée alors que la résine photosensible (20a) recouvre la couche isolante (24a).
The present invention provides a method for producing a photoelectric conversion element (10). According to this method, an amorphous semiconductor layer part is formed on the rear surface of an n-type single-crystal silicon substrate (18), an insulating layer (24a) is formed on the amorphous semiconductor layer part, a photoresist (20a) is formed on the insulating layer (24a), and the light-receiving surface on the opposite side of the n-type single-crystal silicon substrate (18) to the rear surface is etched in a state in which the photoresist (20a) is formed on the insulating layer (24a).

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