多層基板

Multilayer substrate

Substrat multicouche

Abstract

Provided is a multilayer substrate that is obtained by laminating semiconductor substrates, each of which has a penetrating hole (hereinafter referred to as a "through hole") that is provided with a plating film on the inner surface. This multilayer substrate has excellent conduction characteristics and is able to be produced at low cost. When this multilayer substrate is viewed in plan, conductive particles are selectively present at positions where through holes face each other. This multilayer substrate has a connection structure wherein through holes facing each other are connected by means of the conductive particles and semiconductor substrates, which are provided with the through holes, are bonded with each other by means of an insulating adhesive.
L'invention concerne un substrat multicouche qui est obtenu par stratification de substrats semi-conducteurs, comportant chacun un trou pénétrant (ci-après appelé « trou traversant ») qui est pourvu d'un film de revêtement sur sa surface interne. Ce substrat multicouche présente d'excellentes caractéristiques de conduction et peut être produit à bas coût. Quand on observe ce substrat multicouche en vue plane, des particules conductrices sont sélectivement présentes au niveau de positions où des trous traversants se font face. Ce substrat multicouche comporte une structure de connexion dans laquelle des trous traversants se faisant face sont connectés au moyen des particules conductrices, et des substrats semi-conducteurs, qui sont pourvus des trous traversants, sont collés l'un à l'autre au moyen d'un adhésif isolant.
内表面にメッキ膜が形成された貫通孔(以下、スルーホールという)を有する半導体基板が積層されている多層基板であって、導通特性に優れ、かつ低コストに製造できる多層基板が提供される。多層基板の平面視には、スルーホールが対向する位置に導電粒子が選択的に存在する。多層基板は、対向するスルーホールが導電粒子により接続され、該スルーホールが形成されている半導体基板同士が絶縁接着剤により接着している接続構造を有する。

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